摘要
对使用磁控溅射法沉积的钨薄膜进行了热退火研究.指出,在低于300 ℃的退火温度范围内钨膜的结构和电学性质是不稳定的.
We employ the magnetic sputtering method to deposit amorphous tungsten films and investigate their thermal annealing process. These films show an unstable structures and electrical properties when the annealing temperature is lower than 300℃
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第1期49-50,共2页
Research & Progress of SSE
