掺Nd硅基氧化薄膜光致发光特性研究

Study of photoluminescence properties in Nd-doped-Si-based oxide films

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摘要通过对SiO2:Nd的PL谱分析,并与SiO2:La、SiO2:Ce、Si+→SiO2、C+→SiO2等的PL谱进行比较,总结出薄膜光致发光的一些特性. Through the analysis of the photoluminescence spectra for sample SiO2:Nd and the comparison of the photoluminescence spectra for the samples SiO2: La, SiO2: Ce, Si+SiO2 and C+SiO2, the article summarize some photoluminescence properties of impurity—doped Si—based oxide films.

作者夏秀文王水凤元美玲

机构地区井冈山师范学院物理系南昌大学物理系

出处《井冈山师范学院学报》 2002年第5期4-6,10,共4页

关键词硅基氧化薄膜光致发光特性稀土掺杂半导体硅钕 PL谱离子注入法 Si—based oxide light emission film photoluminescence emission rare—earth—doped—silicon

分类号 O484.41 [理学—固体物理]

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