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近两年来国外部分碲镉汞英语文献介绍(上)

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摘要 碲镉汞(MCT)是主流的红外光电探测器,从材料、器件到整机系统,涉及多个学科和技术领域。从晶体结构的有关基本概念出发,对从国外相关文献数据库中检索出来的2014~2015年间的部分MCT英语文献资料进行了93纳分析,从中大体可以看出近年来MCT材料、器件、整机系统以及器件仿真等方面的研发动态。
作者 王忆锋
机构地区 昆明物理研究所
出处 《云光技术》 2016年第1期14-26,共13页
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参考文献68

  • 1M. B. Reine. Interview with Paul W. Kruse on the Early History of HgCdTe, Conducted on October 22, 1980[J]. Journal of Electronic Materials, 2015, 44(9): 2955-2968.
  • 2S. Fahey, E Boicriu, C. Morath, ct al. Influence of Hydrogenation on Electrical Conduction in HgCdTc Thin Films on Silicon[J]. Journal of Electronic Materials, 2014, 43(8): 2831-2840.
  • 3J. M. Armstrong, M. R. Skokan, M. A. Kinch, et al. HDVIP five-micron pitch HgCdTe focal plane arrays[C]//SPIE, 2014, 9070:907033.
  • 4J. Robinson, M. Kinch, M. Marquis, et al. Case for small pixels: system perspective and FPA challenge[C]//SPIE, 2014, 9100: 910001.
  • 5C. Schaake, R. Strong, M. Kinch, ct al. Development of MBE HgCdTe for HDVIP Focal-Plane Arrays[J]. Journal of Electronic Materials, 2014, 44(9): 3102-3107.
  • 6陈治明,王建农.半导体器件的材料物理学基础[M].北京:科学出版社,2003.
  • 7J. MacKenzie, E J. Kumar, H.Chen. Advancements in THM-Grown CdZnTe for Use as Substrates for HgCdTe[J]. Journal of Electronic Materials, 2013, 42( 11 ): 3129-3132.
  • 8D. Brellier, E. Gout, G Gaude, et al. Bulk Growth of CdZnTe: Quality Improvement and Size Increase[J]. Journal of Electronic Materials, 2014, 43(8): 2901-2908.
  • 9D. M. Amarasinghe, S. B. Qadri, P. S. Wijewamasuriya. High Resolution X-ray Diffraction Studies of MBE-Grown HgCdTe Layers on Bulk-Grown CdZnTe Substrate[J]. Journal of Electronic Materials, 2015, 44(8): 2762-2767.
  • 10P. Ballet, X. Baudry, B. Polge, et al. Strain Determination in Quasi-Lattice-Matched LWIR HgCdTc/CdZnTe Layers[J]. Journal of Electronic Materials, 2013, 42(11): 3133-3137.

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