摘要
本文用导电原子力显微镜 (AFM)针尖诱导局域氧化反应的方法 ,在Ti膜表面制备了TiO2 纳米结构。实验结果表明 ,Ti膜的氧化阈值为 - 7伏 ,制备的TiO2 纳米线的最小线宽达到 10nm ,TiO2 纳米线的高度和宽度随针尖偏压的增大而增大。在优化的氧化刻蚀条件下 ,通过控制针尖偏压和扫描方式制备出了图形化的TiO2 结构 。
Using conductive atomic force microscopy (AFM), TiO2 nanowires are fabricated by tip induced nano-oxidation on the surface of Ti thin film. The threshold voltage for Ti oxidation is found to be -7 V and the height and width of TiO2 nanowires increase with the bias of the tip. Under the optimum conditions, fine TiO2 nanowires with 10 nm width can be achieved. Uniform structures are patterned on Ti surface with this technique. The results show that nanolithography based on scanning probe microscopy is a powerful tool for fabricating of novel quantum electronic devices.
出处
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2002年第4期252-254,259,共4页
Vacuum Science and Technology
基金
国家自然科学基金 (No 6990 2 0 0 2 )
国家科技部 973项目 (No 2 0 0 1CB610 5 0 3 )
