摘要
本文报导一种基于四苯硼钠的离子敏感半导体器件。该器件的线性响应范围为 1 0×10 - 1- 1 0× 10 - 3mol/L ,斜率为 32ml/pc (13℃ ) ,检测下限为 6 0× 10 - 4mol/L。适宜的PH范围为 4 - 4 6。
The Sensitive semiconductor device based on NaTPB ion sensitivity is introduced in the paper.The linear responsible range of concentration is 1 0×10 -1 -1 0×10 -3 mol/L,with a slope of 32mV/decade(at13℃),at PH value of 4 2-4 6?The lower detection limit is 6 0×10 -4 mol/L.
出处
《微电子技术》
2002年第3期24-26,共3页
Microelectronic Technology
基金
陕西省教育厅专项基金资助项目 (0 0JK12 8)
关键词
离子敏感场效应晶体管
NaTPB
硫酸根
Ion sensitive field effect transistor(ISFET)
NaTPB
Sulfate radical
