摘要
研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶
The design and fabrication of a RF MEMS voltage control capacitor(VCC) is described. Si based MEMS techniques have been used to fabricate a metal membrane capacitor combined transmission line. An electrostatic potential is applied to the membrane and the transmission line ot tune the capacitance. The test results are as follows. The measured Q factor is 300 at 1 GHz for a 0.21 pF capacitor and C max / C min ratio of the VCC is about 4∶1.
出处
《固体电子学研究与进展》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期146-148,共3页
Research & Progress of SSE
基金
国家预研基金项目 (5 14 0 80 3 0 10 1DZ65 0 1)
江苏省自然科学基金项目 (BK2 0 0 1192 )
江苏高技术研究项目 (BG2 0 0 10 2 0 )支持
