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光伏型锑化铟多元红外探测器

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摘要本文简要介绍用箱法扩散成结,蒸发SiO_2钝化表面和金属化层作欧姆接触,热压焊等类似Si集成电路工艺研制的InSb多元红外探测器的情况,获得了高阻抗、无串扰的线列器件。并就工艺对串扰和均匀性的影响进行讨论。

作者常业清

机构地区广西柳州电机总厂设计室

出处《红外与激光技术》 CSCD 1989年第4期5-7,共3页

关键词红外探测器多元探测器锑化铟

分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]

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红外与激光技术

1989年第4期

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