摘要
用分子束外延(MBE)方法在Cd Te(111)B衬底上生长了0～20μm厚.具有器件品质的Hg_(1-x)Cd_xTe(0.26<x<0.33)外延层.原生态层为p型,典型的载流子浓度最低限度为10^(16)cm^(-3),77K时空穴迁移率大于220cm^2/V.s。用Be铍离子注入形成n^+-p结;通过标准的照相平版印刷技术制造出没有钝化的台面二极管。77K零偏置下,截止皮长4.0和5.7μm的碲镉汞,其电阻面积乘积(R_0A)分别为5.2×10~6和1.4×10^(-1)Ωcm^2。这些R_0A值接近液相外延(LPE)获得的典型值。其显示出利用MBE法生长Hg_(1-x)Cd_xTe是一个非常有希望的初步尝试。
