碲镉汞材料的离子束蚀刻研究

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摘要本文对Hg_(1-x)Cd_xTe(MCT)材料的离子束蚀刻规律进行了一些探索。结果表明可以选取低能量、小束流密度,用302光刻胶作掩模来蚀刻MCT材料,蚀刻的图形边缘整齐,边壁陡直。随着MCT组分x值的增大,其蚀刻速率减小是由于x值大的MCT材料中Cd-Te键占的比例大,Cd-Te键的结合要强于Hg-Te键。

作者翟文生翟树礼

机构地区航空航天工业部三院八三五八所

出处《红外与激光技术》 CSCD 1989年第4期1-5,共5页

关键词碲镉汞材料离子束蚀刻

分类号 TN304.205 [电子电信—物理电子学]

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