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化学汽相淀积多晶硅薄膜生长的动力学描述

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摘要本文对化学汽相淀积生长多晶硅的过程作了定性描述,经过若干简化后,提出了多晶硅成核模型,根据“液滴”模型进行了晶体生长动力学的分析,此结果在低温成核,高温生长情况下成立。本文未涉及掺杂多晶硅膜的生长问题,它将在另文中讨论。

作者陈国栋

机构地区机械电子工业部东北微电子研究所

出处《微处理机》 1991年第2期18-21,共4页 Microprocessors

关键词化学汽相淀积多晶硅薄膜动力学

分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]

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微处理机

1991年第2期

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