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MOS集成电路ESD保护技术研究被引量：10

Study on the ESD Protection Technology of MOS IC

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摘要重点论述了ESD失效模式失效机理和MOS集成电路ESD保护电路 The ESD failure modes,failure mechanism and ESD protection circuit are mainly reviewed in the paper.

作者王颖

机构地区东北微电子研究所

出处《微电子技术》 2002年第1期24-28,共5页 Microelectronic Technology

关键词 MOS集成电路 ESD保扩技术失效模式失效机理 Electrostatic discharge Failure mechanism ESD protection circuit Gate coupled technique Common discharge line

分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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微电子技术

2002年第1期

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