摘要
根据统计学理论系统分析了p掺杂在高亮度发光二极管中(HB-LED)的作用,研究了p型限制层掺杂浓度及浓度梯度变化时导带势垒的变化,由此得到对提高电子有效约束的浓度范围;提高电流扩展层的掺杂浓度,减小电阻率,使得注入器件的电流得到充分的扩展。两者是提高器件的外量子效率非常有效的方法。实验证明了理论分析是正确的。
By systematically analyzing the effect of p doping in high bright light emittingdiodes, a method of high p doping in p cladding and current spread layer to increase its externalquantum efficiency is precented. The result of experiment and calculation proved this point of view.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期72-75,共4页
Semiconductor Technology
