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处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中电子输运的一个简单方法 被引量:14

A simple method for studing the electron transport properties in the magnetic tunnel junction with an arbitrary barrier shape
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摘要 在Slonczewski自由电子模型的基础上 ,提出了一个可用于处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中磁电子输运的简单方法 ,并以三种常见构形的势垒 ,即梯形势垒 ,计入了镜像势的梯形势垒和抛物线势垒为例 ,讨论了势垒形状对隧穿磁电阻及其随偏压变化的影响 . Based on the Slonczewski's free electron model,we present a simple method that can be used to study the electron transport properties in a magnetic tunnel junction with an arbitrary barrier shape.As examples,the TMR for three familiar barrier shapes,i.e.,the trapezoidal barrier,the barrier with mirror potential taken into account,and the parabolic barrier,has been calculated.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期399-405,共7页 Acta Physica Sinica
基金 国家自然科学基金 (批准号 :10 0 740 75 )资助的课题~~
关键词 磁性隧道结 隧穿磁电阻 任意形状势垒 非零偏压 电子输运 梯形势垒 自旋极化 磁性多层膜 magnetic tunnel junction, tunneling magnetic resistance, arbitrary barrier shape, none zero bias
  • 相关文献

参考文献16

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  • 10Zhang X, Li B Z, Sun G, Pu F C 1997 Phys.Rev. B56 5484

同被引文献84

引证文献14

二级引证文献21

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