摘要
采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4 晶体中与氧空位和铅空位相关缺陷的态密度分布 ,并运用过渡态方法计算了其激发能 .结果表明 :PbWO4 晶体中WO3+VO 缺陷的O2p→W5d跃迁可引起 3 5 0nm和 4 2 0nm附近的吸收 ,并且发现VPb的存在可以使WO42
This paper presents a study on electronic structures of defects associated with oxygen vacancy V O and lead vacancy V Pb in lead tungstate crystals (PbWO 4), by the relativistic self consistent discrete variational embedded cluster method. Furthermore, the excitation energy is also calculated. We found that WO 3+ V O could be the absorption center at 350nm and 420nm, and the existence of V Pb can diminish the band gap of WO 4 2- .
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期125-128,共4页
Acta Physica Sinica
基金
国家自然科学基金 (批准号 :197740 43)
上海市教育委员会重点学科发展基金
教育部高等学校骨干教师资助计划
上海高等学校科技发展基金资助的课题~~
