摘要
讨论了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的方法，使用过氧化氢和氟化氢混合水溶液作为化学媒质，分别使用１９３ｎｍ准分子激光和２６６ｎｍ四倍频固体Ｎｄ︰ＹＡＧ激光作为光源．实验结果显示，可以不需要任何抗蚀膜，直接在硅表面进行图案蚀刻．对于１９３ｎｍ波长，在Ｈ２Ｏ２／ＨＦ质量比为１．３时，得到最佳蚀刻深度．在２９ｍＪ·ｃｍ～（－２）能量密度和１００００个脉冲照射下，得到２１０ｎｍ的蚀刻深度．在相同条件下，使用Ｈ２Ｏ２与ＨＦ混合液时的蚀刻深度大约是使用Ｈ２Ｏ与ＨＦ混合液时的４倍．对于２６６ｎｍ波长，在Ｈ２Ｏ２／ＨＦ 质量比为２时， 得到最佳蚀刻深度． 在１２ｍＪ·ｃｍ～（－２）能量密度和３００００个脉冲照射下，得到４２０ｎｍ的蚀刻深度．
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第20期1751-1754,共4页
Chinese Science Bulletin
基金
广东省自然科学基金(批准号:990220)
国家自然科学基金(批准号:60078018)资助项目.
