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半导体探测器的厚度确定及CsI(Tl)的刻度 被引量：4

Thickness determination of silicon detector and calibration of CsI(Tl)
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摘要 根据核反应过程中发射带电粒子在硅半导体中的最大能量沉积 ,利用带电粒子在硅半导体中的阻止本领曲线 ,同时实现半导体探测器的厚度确定及与之组合的CsI(Tl) A method to determine the thickness of the Si semiconductor detector and calibrate the CsI(Tl) was developed using the maximum energy loss of charged particles emitted in nuclear reactions and their stopping power in Si semiconductor.
作者 魏志勇 段利敏 吴和宇 靳根明 李祖玉 张保国 王宏伟 肖志刚 柳永英 王素芳 诸永泰 胡荣江
机构地区 中国科学院近代物理研究所
出处 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期468-472,共5页 Nuclear Techniques
基金 国家自然科学基金! (195 0 5 0 0 7) 中国科学院留学回国人员基金和中国科学院"九五"重大项目! (KJ95T - 0 3)
关键词 能量刻度 半导体探测器 厚度 碘化铯晶体 Energy calibration, CsI(Tl), Si-semiconductor detector
分类号 TL814 [核科学技术—核技术及应用]
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献11

  • 1王辉，高能物理与核物理，1997年，21卷，44页
  • 2郗鸿飞，Nucl Phys A，1993年，552卷，281页
  • 3郗鸿飞，高能物理与核物理，1993年，17卷，294页
  • 4Xu H，Phys Lett B，1986年，182卷，155页
  • 5Zhu F，Phys Rev C，1995年，52卷，784页
  • 6郗鸿飞，高能物理与核物理，1993年，17卷，294页
  • 7Xu H M，Phys Lett B，1986年，182卷，155页
  • 8郗鸿飞，Nucl Phys A，1984年，413卷，170页
  • 9Awes T C，Phys Rev C，1982年，25卷，2361页
  • 10Ho H，Z Phys A，1977年，83卷，235页

共引文献5

同被引文献59

  • 1段利敏,李祖玉,靳根明,贺智勇,罗清政,吴和宇,张保国,漆玉金,文万信,党秉荣,戴光曦.25MeV／u^（40）Ar＋（197）~Au反应中相对态布居与发射温度的提取[J].高能物理与核物理,1995,19(5):393-397. 被引量：3
  • 2段利敏,李祖玉,靳根明,贺智勇,张保国,吴和宇,罗清政,文万信,戴光曦.粒子关联测量中的一种能量刻度修正方法[J].核技术,1996,19(8):455-459. 被引量：1
  • 3贺智勇,李祖玉,段利敏,靳根明,吴和宇,张保国,文万信,漆玉金,罗清政,戴光曦.态布居测热核的核温度及其与碰撞参数的关系[J].物理学报,1997,46(1):35-41. 被引量：2
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引证文献4

二级引证文献3

核技术
2001年 第6期

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