摘要
利用金属蒸气真空弧离子源，将硅和铒离子先后注入到单晶硅中，经快速退火制备出（Ｓｉ，Ｅｒ）双注入单晶硅发光薄膜，ＲＢＳ分析表明铒原子分数接近１０％，即原子浓度约１０２１ ｃｍ－３．ＸＲＤ分析发现，随着Ｅｒ注量增加，退火态样品中ＥｒＳｉ２相增多．显微结构分析表明，注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌．而这些结构变化将直接决定了（Ｓｉ，Ｅｒ）双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光．
Erbium and silicon dual implantation into silicon is performed on MEVVA ion source implanter. After rapid thermal annealing, 1. 54 μm photoluminescence is observed at 77 K. Er ions are mainly distributed near the surface of the samples, and Er atomil concentration exceeds 1021 cm-3. Needle nanometer crystalline silicon (nc-Si) is formed on the surface of silicon. The mechanism of Er3+ luminescence is investigated.
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期476-481,共6页
Journal of Beijing Normal University(Natural Science)
基金
国家自然科学基金项目(6970061)
复旦大学应用表面物理国家重点实验室资助项目
