B^+离子注入p型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te 被引量：1

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摘要在77K时对150keV的B^+注入p型HgCdTe进行微分霍尔测量表明:以不同剂量的B^+注入后所形成的n^+层是很明显的。n^+层的厚度取决于B^+的注入剂量,当剂量超过1×10^(13)cm^(-2)时,晶片载流子浓度趋于饱和。

作者王淑云

出处《红外与激光技术》 CSCD 1991年第6期49-51,共3页

关键词 HGCDTE 注入剂量晶格离子注入

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红外与激光技术

1991年第6期

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