通过介电胶膜将离子注入碲隔汞

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摘要对铟锡氧化物(ITO)和二氧化硅(SiO_2)作为碲镉汞(MCT)的胶膜的有效性作了研究。将不同厚度的ITO和SiO_2溅射到MCT样品上,然后用铝注入到样品上并用常规炉子进行退火。用卢瑟福背散射(RBS)实验研究表面因注入和退火引起的汞损失的情况。RBS结果并不表明在用介电胶膜注入期间所引起的汞的任何损失,而它的确表明,在退火期间是用SiO_2密封的样品丢失了汞而不是用ITO密封的样品丢失汞的。

作者王淑云

出处《红外与激光技术》 CSCD 1991年第3期55-60,共6页

关键词离子注入碲隔汞介电胶膜退火

分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]

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红外与激光技术

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