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GaAs/GaAlAs多量子阱CCTS结构双稳态激光器的实验研究

Experimental Results for GaAs/GaAlAs Multiple Quantum Well (MQW) Bistable Laser With CCTS Structure
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摘要 本文报道了GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)双区共腔(CCTS)结构的双稳态激光器.该器件利用多次离子注入形成电隔离很好的双电极结构,吸收区上加上一定反偏电压时得到了双稳特性,观察到了器件工作于双稳态时对光谱边模的显著抑制. Abstract This letter reports on a GaAs/AlGaAs multiple quantum well (MoW) bistable laser with CCTS structure. The bistability is demonstrated in the laser by applied electronic field on the absorption section. Obvious side mode restraint was observed when the device works in bistable region.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期354-357,共4页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金
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