摘要
讨论了反应离化团簇束沉积 (RICBD)方法的原理和特点 ,利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在Si衬底上生长GaN薄膜 ,并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析 ,证实形成了良好的GaN薄膜。
The principle and properties of reactive ionized cluster beam deposition technique(RICBD) have been introduced.With double-flow method and ZnO buffer layer technique, GaN films on Si substrate are fabricated. Analysis and measurement by XPS,XRD and PL have shown that the GaN films are relatively perfect.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期26-30,共5页
Semiconductor Optoelectronics
基金
国家自然科学基金资助项目(19775036)
关键词
反应离化团簇束沉积
氮化钙薄膜
硅基
reactive ionized cluster beam deposition
GaN films
buffer layer
