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硅应变计的氮化硅钝化新技术 被引量:1

The new technologies of Si_3N_4 passivation for Si strain gauge
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摘要 介绍一种硅应变计,通过使用同种材料、采用两种不同的工艺技术对比试验,测试结果表明,氮化硅钝化技术制造的产品性能优于常规半导体技术制作的同类产品。 A kind of silicon strain gauge is introduced. It's indicated in a contrast test that by using the same materials and different technologies, the performance of products based on using Si3N4 passivation technology are better than that based on conventional semiconductor technology.
作者 钱静波 李丹
出处 《传感器技术》 CSCD 2000年第6期40-41,共2页 Journal of Transducer Technology
关键词 硅应变计 氮化硅钝化 半导体 力学量传感器 silicon strain gauges Si3N4 passivation semicondutor
  • 相关文献

参考文献5

  • 1半导体器件可靠性编写组.半导体器件可靠性[M].北京:国防工业出版社,1980.46-48.
  • 2董敏 王彤.Si3N4-SiO2对扩散硅力敏器件的保护及影响[J].仪表技术与传感器,1988,(4):6-8.
  • 3-.ML17型超小型哑铃状中子嬗变硅压阻元件研究报告[M].哈尔滨:电子工业部第四十九研究所,1990..
  • 4董敏,仪表技术与传感器,1988年,4期,6页
  • 5半导体器件可靠性编写组,半导体器件可靠性,1980年,46页

同被引文献3

引证文献1

二级引证文献2

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