第三代半导体或将引发又一次照明革命"

下载PDF

导出

摘要继硅（Si）引导的第一代半导体和砷化镓（GaAs）引导的第二代半导体后，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（A1N）为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率和更高的抗辐射能力，

出处《覆铜板资讯》 2014年第1期43-43,共1页 Copper Clad Laminate Information

关键词第三代半导体材料照明引发抗辐射能力禁带宽度击穿电场第二代碳化硅

分类号 TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]

引文网络
相关文献

1碳化硅（SiC）晶体产业化项目[J].试剂与精细化学品,2006(2):19-19.
2天津天元亨橡胶制品厂闪亮登场[J].中国轮胎资源综合利用,2005(8):31-31.
3震雄集团节能新星闪亮登场[J].现代塑料,2011(5):106-106.
4Eva Zemanova,Karel Kloud,Eva Kostakova.Fullerene Derivatives, Preparation, Identification and Use[J].材料科学与工程（中英文B版）,2013,3(6):331-345. 被引量：1
5李严,薛娓娓,杨延宁.纳米金刚石半导体薄膜传感器的研究与模拟[J].科技资讯,2011,9(33):2-2.
6马康夫,王英民,李斌,徐伟.生长单晶用SiC粉料合成工艺研究进展[J].电子工艺技术,2016,37(3):128-134. 被引量：11
7童寒轩,胡慧明,郑方庆,郑晋洁,张渊泽,马剑华.氮化镓的合成制备及前景分析[J].辽宁化工,2011,40(11):1201-1203. 被引量：2
8“第17届中国国际建筑装饰展览会”在沪隆重举行[J].佛山陶瓷,2009,19(4).
9赵东辉,夏方,杨云霞,陈国荣,S Baccaro,A Cecilia,M.Nikl.Ce3+对磷酸盐闪烁玻璃耐辐射性能的影响[J].功能材料,2004,35(z1):303-306.
10欧阳吉庭,缪劲松.氧气沿面放电臭氧合成机理[J].北京理工大学学报,2005,25(z1):263-266. 被引量：3

覆铜板资讯

2014年第1期

浏览历史

内容加载中请稍等...

第三代半导体或将引发又一次照明革命"

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史