摘要
系统研究了 H2 流量和 H+原位处理 Cx H1-x薄膜的时间对 Cx H1-x薄膜的稳定时间、表面悬挂键密度和表面电子局域化程度的影响 ,表明 Cx H1-x薄膜的长时间 H+ 原位处理是减小 Cx H1-x薄膜表面悬挂键密度的有效途径。
In this paper, the steady time of C xH 1-x film, the density of the surface dangling band and the l ocalization of the surface electronic state under the different H 2 flow rate a nd the different in-situ treatment time of H-+ were investigated. The effectiv e method with which the surface dangling band density is decreased is the long H -+ treatment time in-situ.
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期593-596,共4页
High Power Laser and Particle Beams
基金
国家自然科学基金资助课题!( 199895 0 1)
中国工程物理研究院院基金资助课题
高温高密度等离子体国家重点实验室基金重点项目资助
关键词
薄膜
ICF靶涂层技术
氢分子
氢离子
C xH 1-x film
the surface dangling band density
localization
ICF coa ting layer
