摘要
对光照射下硅桥谐振子的谐振频率变化进行了理论分析 ,并建立了相应的理论模型 .该理论模型建立在对硅桥进行热传导分析、热应力应变分析和机械振动分析的基础上 ,理论推导过程严密 ,且理论模型的模拟结果与实验测试数据吻合得很好 。
A theoretical model is developed for calculating the frequency of the silicon bridge under radiation. Use are made of the heat conducting theory, the thermal strain theory and the mechanical vibration theory. The model is verified by comparison with the experimental data.
出处
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第10期1-4,共4页
Journal of Xi'an Jiaotong University
基金
国家自然科学基金资助项目!(69776037)
国家教育部博士学科点专项科研基金资助项目!(98069828)
关键词
硅桥谐振子
光照射
谐振频率
理论模型
传感器
silicon resonant bridge
radiation
resonant frequency
theoretical model
