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大规模集成电路制造工艺对特种气体的要求 被引量:2

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摘要 叙述了大规模集成电路的发展,包括线宽、管芯面积与制造工艺对特种气体中尘埃数和粒径的要求、颗粒与成品率的关系,以及在不同级别洁净室中生产器件对成品率的影响。详细介绍了工艺气体中杂质对器件性能的影响。还介绍了大规模集成电路材料及器件和化合物半导体材料及器件生产工艺中使用的各种气体。对国外用于MOCVD、LSI及亚微米集成电路制造用气体的污染控制也作了介绍。
作者 闻瑞梅
出处 《低温与特气》 CAS 1991年第4期1-8,共8页 Low Temperature and Specialty Gases
  • 相关文献

参考文献1

  • 1闻瑞梅,朱章钰,董耀,崔惠国,佘爱武.大规模集成电路工艺中的高纯水[J]半导体技术,1983(01).

同被引文献17

  • 1孙福楠,韩美,王秋娥,梁玉,林刚,陈晓惠,田波.中国特种气体的现状及发展走向[J].低温与特气,2005,23(1):1-4. 被引量:8
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引证文献2

二级引证文献19

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