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使用金属蒸汽真空弧离子源的金属离子注入 被引量:1

METALLIC ION IMPLANTATION USING A MEWA SOURCE
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摘要 用金属蒸汽真空弧离子(MEVVA)源注入金属离子,能以较低的离子能量而获得较厚的注层.掺杂浓度高,容易诱生金属间化物沉淀,是一种有工业应用价值的强流离子源.讨论了注入原子的状态和分布特征,说明了 MEVVA 源可能的使用前景. Because ot high flux,ion implantation using a MEWA source can modify a thicker surface layer with metallic ions of rather low energies.Beam heating helps to retain a higher concentration ot implants and to induce intermetallic compounds as fine precipitates.These make MEWA a valuable high current ion source in industrial applications.The behaviour and state of the implanted atoms are characterized and the potential pros- pects of MEVVA are predicted.
出处 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1991年第2期163-168,共6页 Journal of Beijing Normal University(Natural Science)
基金 "八六三"高科技研究资助项目
关键词 MEVVA 离子注入 金属改性 离子源 beam heating concentration profile precipitate intermetallic compounds
  • 相关文献

参考文献3

  • 1姬成周,1990年
  • 2姬成周,北京师范大学学报,1990年,26卷,3期,55页
  • 3Li Wenzhi,NIM,1986年,B15卷,241页

同被引文献7

引证文献1

二级引证文献5

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