摘要
综述了化合物半导体材料制备的太阳电池及组件的研究、开发进展。这些材料包括铜铟 (镓 )硒(CuIn(Ga)Se2 )、碲化镉 (CdTe)和Ⅲ -V族化合物。就光伏应用的要求而论 ,这些材料比晶体硅 (c -Si)更为合适 ;这主要是由于 :化合物半导体材料的带隙Eg约 1 40eV(而Si的Eg为 1 1eV) ,且为直接跃迁 (Si为间接跃迁 ) ,从而所制电池与太阳光谱更匹配、对阳光吸收系数更大 ,使得这些材料适合制作薄膜电池 ,电池厚度 2～3μm即可 ;而c -Si电池厚度一般在 2 0 0 μm以上。目前 ,这些化合物电池转换效率的最高值已达 1 8 8%(CIGS)、1 6% (CdTe)和 30 2 8% (InGaP/GaAs)。最后 ,简要介绍了我国在所述PV电池方面的研究现状。
出处
《世界有色金属》
2000年第8期4-6,共3页
World Nonferrous Metals
