CVD法沉积金刚石薄膜中成核与生长的势垒研究被引量：1

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摘要探明成与生长的机理对于沉积高质量金刚石薄膜是十分重要的。本文采用ＰＭ３方法，计算了化学汽相沉积金刚石薄膜成核与生长阶段反应势垒。研究了对于不同反应气体（甲烷炔）脱氢和增加沉积基团势垒。然而，啬乙炔基的势垒大于增加甲基的势垒，这可能是因为乙炔分子必须打开Ｃ≡Ｃ键材能沉积衬底表面。

作者王波宋雪梅

机构地区北京工业大学材料科学与工程学院

出处《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2000年第3期280-284,共5页 Journal of Synthetic Crystals

关键词金刚石薄膜 CVD 成核生长衬底

分类号 TQ163 [化学工程—高温制品工业] O484.1

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