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Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的折迭纵声学声子

FLA Phonons in Ge_xSi_(1-x)/Si Strained-Layer Superlattices
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摘要 用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间符合得相当的好.它表明 Rytov模型对长周期 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格可以较好地得到应用. The Raman spectrum due to the folded longitudinal acoustic (FLA) phonons in theGe_x Si_(1-x)/Si (x=0.5)superlattices has been performed. We observed for the first time moreup to the 9th FLA mode in the sample constituted by Ge_xSi_(1-x) with the layer thicknessd_1=50 A and Si with the layer thickness d_2=250 A. The observed acoustic modes of variouswavevectors were identified by means of comparing with thoretical calculation. The strikingcoincidence between thoretical and experimental results indicate that Rytov model is favou-rable for the large-period Ge_xSi_(1-x)/Si superlattices.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第7期448-451,共4页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金 中国科学院半导体超晶格国家重点实验室资助
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参考文献2

  • 1金鹰,半导体学报,1991年,12卷,3期,129页
  • 2周国良

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