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硼微晶玻璃源扩散均匀性的研究被引量：2

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摘要研究表面,用片状硼微晶玻璃扩散源在一定的条件下也能形成B-Sis相层,并且只有在预沉积时形成B-Si相层且去掉这一相层进行主扩,才能获得高均匀性硼掺杂。本文研究了不同的工艺条件对扩散均匀性的影响结果。

作者陈辉明吴益良向群

机构地区浙江大学电力电子技术研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期36-38,共3页 Semiconductor Technology

关键词硼微晶玻璃源扩散 B-Si相层

分类号 TN305.4 [电子电信—物理电子学]

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参考文献2

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半导体技术

1991年第2期

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