栅氧化异常C-V特性的分析和监测样品处理方法被引量：1

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摘要在我厂CMOS电路生产工艺中,常规栅氧化的C-V曲线经常出现不正常现象,但生产实践表明,它又不反映制成电路栅氧层的界面电荷特性。因此,无法通过测试栅氧后的C-V特性对MOS电路生产进行有效的工艺监控,这就提出了两个问题:1、为什么栅氧后呈现异常的CV特性曲线;2、怎样对栅氧化进行有效的工艺监控。

作者孟健

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期41-44,共4页 Semiconductor Technology

关键词 CMOS 集成电路栅氧化 C-V特性

分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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5曹向群,唐九耀,范丽娜.高温热氧化中SiO_2层厚度的控制研究[J].光电子．激光,2001,12(9):975-976. 被引量：2

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1魏高尧.东芝公司多制式集成电路TA8615N介绍[J].电视工业（科技版）,1993(8):14-19.
2杨劲,陈蒲生.研究MIS结构电荷特性的光Ⅰ～Ⅴ法[J].华南理工大学学报（自然科学版）,1992,20(2):50-58.
3崔俊杰.DVB码流分析仪的开发[J].有线电视技术,2005,12(15):89-91.
4刘松.基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程[J].今日电子,2008(11):74-75. 被引量：6
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7李洪臣.TCLL32F19型液晶彩电高频头的33V供电随电视台的不同而变值是正常现象[J].家电维修,2015,0(12):13-14.
8冯友.黑白电视机故障检修6例[J].家电检修技术,1994(3):42-42.
9李惠军,龙莹山,武广栋.PECVD氯化硅介质膜Si／N比值的工艺监控[J].山东科学,1995,8(1):14-17.
10岑洁儒,陈蒲生,丁雄,何汉翔.用于VLSI的新型介质膜电荷特性的测试研究[J].固体电子学研究与进展,1993,13(1):50-53. 被引量：1

半导体技术

1991年第1期

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