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用于薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备与性能研究 被引量：5

Study on Preparation and Properties of a-SiGe∶H Film for Solar Cells
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摘要 利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺(RF-PECVD)制备非晶硅锗薄膜,研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响。通过二者的优化制备出光学带隙1.5 eV、光敏性6×104的高质量非晶硅锗薄膜。在此基础上制备出效率为6.65%的非晶硅锗(a-SiGe∶H)单结太阳能电池。 Effects of hydrogen dilution and temperature on the properties of a-SiGe∶ H alloys deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition have been studied.Under the optimum conditions high quality a-SiGe∶ H film with optical bandgap of 1.5 eV and photosensitivity of 6×104 is obtained.With this material a 6.65% conversion efficiency a-SiGe∶ H solar cells is achieved.
作者 程碧胜 雷青松 徐静平 薛俊明
机构地区 华中科技大学光学与电子信息学院 河北汉盛光电科技有限公司
出处 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1514-1518,共5页 Journal of Synthetic Crystals
关键词 非晶硅锗 氢稀释率 衬底温度 太阳能电池 a-SiGe∶H hydrogen dilution substrate temperature solar cell
分类号 TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]
  • 相关文献

参考文献12

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同被引文献91

引证文献5

二级引证文献8

人工晶体学报
2012年 第6期

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