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直接/间接能隙材料量子阱中的能带混和 被引量:2

Band Mixing in Direct/Indirect Gap Quantum Wells
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摘要 本文使用单带双谷理论研究了直接/间接能隙量子阱中的能带混和现象.研究了量子阱中的束缚态随合金组分和液体静压力变化的关系.讨论了由第Ⅰ类超晶格向第Ⅱ类超晶格的转变.最后论述了这些状态转换的意义及单带双谷理论的有效性. In this paper, the band mixing in direct/indirect gap quantum wells is studied using the one-band-two-valley theory. The dependences of the confined energy levels in quantum wells on the alloying component and pressure are given. The transition from the superlattics typs Ⅰto type Ⅱ is also discussed. Finally the significance of the transformation between thess states and the effectiveness of the one-band-two-valley theory are described.
作者 薛舫时
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期3-11,共9页 Research & Progress of SSE
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