摘要
微光刻技术已进入亚微米尺寸加工时代,八十年代末即可使高密度集成电路—4兆位动态RAM和1兆位静态RAM存储器付诸生产。对集成密度的需要将要求曝光装置在九十年代就能大批量生产0.5μm及更小线宽的图形。光学曝光具有0.5μm尺寸的生产能力。作为一种适合于大生产用的竞争技术,X射线曝光也进入了实验考核阶段。是否会在九十年代出现一个从光学曝光转向X射线曝光的大突破,就取决于竞争双方各自的技术性能和经济效益了。
出处
《电子工业专用设备》
1990年第1期53-56,F004,共5页
Equipment for Electronic Products Manufacturing
