摘要
采用准二维模型计及 Zn1-x Cdx Se/Zn Se半导体异质结界面附近的能带弯曲效应 ,讨论了异质结界面极化子的基态能量 ,有效质量随电子面密度以及 Cd组份的变化关系 .
Considering the energy bandbending effect near the interface in a Zn 1-x Cd xSe/ZnSe heterojuction , we adopt a quasi 2D model to discuss the relation between the ground state energy , the effective mass of an interface polaron and the electron areal density , Cd composition .
出处
《内蒙古大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
2000年第4期364-369,共6页
Journal of Inner Mongolia University：Natural Science Edition
基金
内蒙古自治区人才工程资助项目
关键词
异质结
硒化锌
界面极化子
半导体
锌镉硒化合物
heterojuction
areal density of electron
ground state energy
effective mass
