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电源问题导致单片机死机的原因分析与改进 被引量：2

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摘要 HIC998(3)P/T型智能卡式电话机采用AT89C55WD作为MCU,在使用中极易出现批量死机的问题。通过记录对比试验的波形和数据,发现话机死机的根本原因是电路中稳压芯片的驱动能力偏小,不能满足单片机复位时对功耗的需求造成。提出采用SMT生产工艺将RN5VD45A、R1111N501A和部分外围元件装配在一块电路板上的方法来替换MAX666,改造后话机使用效果良好,验证了该方法的有效性,解决了单片机死机问题。
作者 刘艺柱 郑小梅 王臻卓
机构地区 南京理工大学电子工程与光电技术学院 河南工业职业技术学院电气工程系 郑州职业技术学院电气电子工程系
出处 《机床与液压》 北大核心 2012年第7期207-209,共3页 Machine Tool & Hydraulics
基金 河南省教育厅自然科学基金资助项目(200610464031)
关键词 单片机 电源 驱动能力 复位 功耗 电流
分类号 TP368.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
  • 相关文献

参考文献9

二级参考文献15

  • 1熊廷文,张科峰,邹雪城,刘冬生.一种适用于无源高频RFID的LDO稳压器的设计[J].微电子学,2007,37(1):129-131. 被引量：5
  • 2赵依军.单片微机接口技术[M].人民邮电出版社,1991..
  • 3SHERPAD J.新兴的ULP无线应用将推动电源管理IC增长[Z].电子工程专辑,2007:80.
  • 4KING B M. Advantages of using PMOS-type lowdropout linear regulators in battery applications[EB/ OL]. www. TI. com,2005.
  • 5DICKSON J. On-chip high-voltage generation in NMOS integrated circuits using an improved voltage multiplier technique[J]. IEEE J Sol Sta Circ, 1976,11(6) : 374-378.
  • 6TANTAWY R, BRAUER E J. Performance evaluation of CMOS low drop-out voltage regulators [C] // MWSCAS. Hiroshima,Japan. 2004 : I-141-4 (1).
  • 7LEE B S. Understanding the terms and definitions of LDO voltage regulators[ EB/OL ]. www. TI. com, 1999.
  • 8Lee Bang S.Understanding the Terms and Definitions of LDO Voltage Regulators[J].Texas Instruments Application Report,1999,(10).
  • 9Lee Bang S.Technical Review of Low Dropout Voltage Regulator Operation and Performance[J].Texas Instruments Application Report,1999,(8)
  • 10电磁兼容性设计手册

共引文献55

同被引文献8

引证文献2

二级引证文献1

机床与液压
2012年 第7期

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