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SiH在Si(001)面吸附的第一性原理研究

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摘要 用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了SiH在Si(001)面的吸附,计算了SiH在6个高对称位置吸附后的优化结构、吸附能以及键长和键角的变化等.研究发现,在同一排的二聚体之间的吸附最稳定,二聚体上次之,相邻二聚体排之间的槽内最不稳定.
出处 《周口师范学院学报》 CAS 2012年第2期50-53,共4页 Journal of Zhoukou Normal University
基金 河南省教育厅自然科学基金项目(2008B140012)
  • 相关文献

参考文献21

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