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ICP-AES法测定有机硅触体中铅的含量 被引量:5

Lead Content from Silicon Contact Mass Determined by ICP-AES
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摘要 采用电感耦合等离子体发射光谱测定了甲基氯硅烷生产使用的触体中铅(Pb)的含量,研究了触体中存在的主要元素铜对Pb测定的光谱干扰。选择灵敏度较高的220.353 nm为分析谱线,采用与试样Cu含量基本匹配的测试方法。被测元素样品加标回收率为103%,RSD(n=10)小于3%。 The lead content in the production of methyl chlorosilanes contact mass was determined by ICP-AES,and the impact of the elements interfering elements copper was studied.Choosing 220.353 nm as the spectral line,the analysis method was proposed matching the content of copper.The spiked recovery of the measured elements was 103% with RSD(n=10)3%.
出处 《有机硅材料》 CAS 2012年第2期109-111,共3页 Silicone Material
关键词 ICP-AES 触体 甲基氯硅烷 ICP-AES contact mass lead copper methyl chlorosilane
  • 相关文献

参考文献2

  • 1中国国家标准化委员会.GB/T14849-2008工业硅化学分析方法第4部分:电感耦合等离子体原子发射光谱法测定元素含量[S].北京:中国标准出版社,2008.
  • 2于媛君,杨丽荣,顾继红,等.ICP-AES测定锌及锌合金中杂质元素锑及铅、铜、镉、锡、铁、铝//Thermo Scientific元素分析(液体)用户论文集,丽江,赛默飞世科技,2007:10.

同被引文献517

引证文献5

二级引证文献16

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