摘要
研究了真空热处理温度对反应烧结碳化硅材料显微组织和断裂强度的影响。结果表明 :反应烧结碳化硅中的游离硅在 1 60 0℃、1 80 0℃真空热处理过程中已全部去除 ;经过 1 80 0℃真空热处理材料的强度均高于 1 60 0℃真空热处理材料的强度。在 1 80 0℃真空热处理过程中发生的碳化硅再结晶以及气孔形状的变化 ,是其强度较高的主要原因。
The effect of porosity on fracture strength of reaction bonded silicon carbide with free silicon removed by heat treatment in vacuum at 1600℃ and 1800℃ is investigated. It has been shown that the strength of specimens heat treated at 1800℃ is higher than that of heat treated at 1600℃. The strengthening effect is attributed to recrystallization and the shape of pores during heat treatment at 1800℃.
出处
《耐火材料》
EI
CAS
北大核心
2000年第1期17-19,共3页
Refractories
基金
国家自然科学基金!资助项目 ( 59772 0 1 3 )
