期刊文献+

MIM隧道发光二极管的电子输运研究

THE RESEARCH OF ELECTRON TRANSFER IN MIM LIGHT EMISSION TUNNEL DIODE
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 本文报道了MIM隧道二极管的发光和负阻现象,用梯形势垒计算了电流-电压特性。结果显示,由于SPP波对电子的阻挡和束缚作用引起的势垒平均宽度的增加所导致的负阻现象与实验结果相符合。 This paper reports the light emission from MIM tunnel diode and Negative Differential Resistance (NDR) in its I-V characteristic curve. By building the trapezoid potential barrier model and calculating the numerical solution of I-V characteristic curve with computer, it is found that the increment of potential barrier average width is agree with the experiment well. This increment of potential barrier average width is caused by the SPP's impeding and trapping effect upon tunneling electrons.
出处 《电子科学学刊》 CSCD 2000年第1期144-150,共7页
基金 国家自然科学基金(批准号 69576006) 集成光电子国家重点实验室的资助
关键词 MIM隧道 电子输运 发光二极管 MIM tunnel diode, Light emitting, Electron transfer
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献4

  • 1蔡益民,孙承休,高中林,魏同立.MIM隧道二极管的发光机理[J].电子学报,1995,23(2):26-29. 被引量:1
  • 2Chang Chinan,Appl Phys Lett,1989年,54卷,2545页
  • 3舒启清,J Appl Phys,1989年,65卷,373页
  • 4蔡益民,博士学位论文,1995年

共引文献6

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部