透明导电氧化物薄膜研究现状与产业化进展被引量：28

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摘要综述了 TCO(透明导电氧化物 )薄膜研究开发的历史与现状 ,展望了产业化前景。传统的 ITO薄膜性能优异 ,是重要的平面显示器件用材料。新型 Zn O薄膜成本低廉 ,极具发展潜力 ,有望在太阳能电池领域取代 ITO(掺锡氧化铟 )。多元复合氧化物薄膜是 TCO的发展方向之一 ;柔性衬底的应用扩大了 TCO薄膜的用途 ;溶胶 -凝胶制备工艺的开发促进了大面积

作者赵谢群

机构地区北京有色金属研究总院

出处《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第1期40-41,共2页 Electronic Components And Materials

关键词透明导电氧化物薄膜产业化

分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学]

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参考文献9

1陈源,张德恒,马瑾,杨田林.不同有机衬底上沉积的ZnO ∶Al透明导电膜的研究[J].半导体杂志,1999,24(3):1-4. 被引量：23
2马谨，稀有金属，1999年，17卷，增刊1期，41页
3Sang B，Jpn J Appl Phys.2，1998年，37卷，10A期，1125页
4Sang B，Jpn J Appl Phys.2，1998年，37卷，2B期，206页
5Song P K，Jpn J Appl Phys.A，1998年，37卷，4期，1870页
6Yang T L，Thin Solid Films，1998年，326期，60页
7Ning Z Y，Thin Solid Films，1997年，307期，50页
8Coutts T J，Mat Res Soc Symp Proc，1996年，426期，479页
9Choi Y S，Thin Solid Films，1996年，289卷，153页

二级参考文献1

1张德恒.透明导电膜中光吸收边的移动[J].半导体杂志,1998,23(3):34-43. 被引量：35

共引文献22

1殷胜东,马勇,王楠.透明导电薄膜ZnO∶Al的组织结构分析[J].山西师范大学学报（自然科学版）,2006,20(2):32-36.
2杨田林,韩圣浩,张鹏,王爱芳.衬底温度和溅射偏压对ZnO:Al透明导电膜结构和光电特性的影响[J].电子元件与材料,2004,23(7):31-34. 被引量：1
3葛春桥,薛亦渝,夏志林.AZO透明导电薄膜的制备技术、光电特性及应用[J].真空电子技术,2004,17(6):51-54. 被引量：12
4徐成海,陆峰,谢元华.氧化锌铝透明导电膜[J].真空电子技术,2003,16(6):39-44. 被引量：17
5王文文,刁训刚,王峥,王天民.直流磁控溅射ZnO:Al薄膜的光电和红外发射特性[J].北京航空航天大学学报,2005,31(2):236-241. 被引量：8
6张丽伟,卢景霄,段启亮,王海燕,李瑞,靳锐敏,王红娟,张宇翔.磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究[J].电子元件与材料,2005,24(8):46-48. 被引量：15
7殷胜东,马勇,籍勇亮.磁控溅射制备参数对ZnO:Al电学性能的影响[J].淮北煤炭师范学院学报（自然科学版）,2006,27(1):16-21.
8殷胜东,马勇,殷霖.磁控溅射制备参数对ZnO∶Al光学性能的影响[J].云南民族大学学报（自然科学版）,2006,15(2):126-129. 被引量：2
9李家亮,姜洪义,牛金叶,邹科.透明导电氧化物薄膜的研究现状及展望[J].现代技术陶瓷,2006,27(1):19-23. 被引量：13
10张丽伟,王子健,卢景霄,王海燕,吴芳,李红菊.真空退火法对AZO薄膜的研究[J].真空,2006,43(5):13-15. 被引量：5

同被引文献378

1李音波,李卫华,闫琳,余前春,韩志伟.ITO靶材的研究现状与发展趋势[J].功能材料,2004,35(z1):996-1000. 被引量：9
2吴健松,李海民.水热法制备无机粉体材料进展[J].海湖盐与化工,2004,33(4):22-25. 被引量：10
3丁子上,翁文剑.溶胶-凝胶技术制备材料的进展[J].硅酸盐学报,1993,21(5):443-449. 被引量：157
4骆英民,马剑刚,徐海阳,刘益春,钟殿强,齐秀英.热退火对电子束蒸镀方法制备的ZnO:Al薄膜光电性质的影响[J].人工晶体学报,2004,33(5):776-780. 被引量：2
5俞翔.触摸屏技术及电阻式触摸屏隔离点制作工艺探讨[J].龙岩师专学报,2004,22(6):25-27. 被引量：4
6冯团辉,卢景霄,张宇翔,杨仕娥,李瑞,靳锐敏,王海燕,郜小勇.快速光热退火法制备多晶硅薄膜的研究[J].电子元件与材料,2005,24(2):26-28. 被引量：7
7葛春桥,薛亦渝,夏志林.AZO透明导电薄膜的制备技术、光电特性及应用[J].真空电子技术,2004,17(6):51-54. 被引量：12
8徐成海,陆峰,谢元华.氧化锌铝透明导电膜[J].真空电子技术,2003,16(6):39-44. 被引量：17
9丁星兆,何怡贞,董远达.溶胶－凝胶工艺在材料科学中的应用[J].材料科学与工程,1994,12(2):1-8. 被引量：47
10宋继鑫.国外光学薄膜的应用和真空镀膜工艺[J].光学技术,1994,20(1):32-38. 被引量：16

引证文献28

1赵宏生,陈炜,翁端,李恒德.玻璃表面功能膜的研究进展[J].材料导报,2004,18(6):1-4. 被引量：2
2张文治,王毓,刘书静,徐厚材.ITO透明导电膜的制备及性能研究[J].福建化工,2005(2):14-16. 被引量：1
3张丽伟,卢景霄,段启亮,王海燕,李瑞,靳锐敏,王红娟,张宇翔.磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究[J].电子元件与材料,2005,24(8):46-48. 被引量：15
4王华.透明导电氧化物薄膜及其制备方法[J].材料工程,2005,33(9):59-63. 被引量：7
5周宏明,易丹青,杨小玲.ITO薄膜的生产技术概况及发展趋势探讨[J].表面技术,2006,35(1):1-4. 被引量：13
6李家亮,姜洪义,牛金叶,邹科.透明导电氧化物薄膜的研究现状及展望[J].现代技术陶瓷,2006,27(1):19-23. 被引量：13
7肖华,王华,任鸣放.基于磁控溅射技术的ZAO透明导电薄膜及靶材的研究[J].液晶与显示,2006,21(2):158-164. 被引量：12
8望咏林,颜悦,沈玫,贺会权,张官理.透明导电氧化物薄膜研究进展[J].材料导报,2006,20(F05):317-320. 被引量：12
9徐慢,夏冬林,赵修建.透明导电氧化物薄膜材料及其制备技术研究进展[J].材料导报,2006,20(F11):312-314. 被引量：11
10刘玉萍,陈枫,郭爱波,李斌,但敏,刘明海,胡希伟.AZO透明导电薄膜的制备技术及应用进展[J].真空与低温,2007,13(1):1-5. 被引量：29

二级引证文献193

1陈林,彭国良,宋杰光,刘悦,张西岭,向芸.Ce3+掺杂纳米ZnO的制备及其可见光光催化性能研究[J].化工新型材料,2020,48(1):200-206. 被引量：9
2李旭,杨小天.喷墨打印技术制备透明电极[J].吉林建筑大学学报,2019,36(3):83-86.
3王敏,蒙继龙.热处理时间对IT0薄膜显微组织及光电性能的影响[J].广东技术师范学院学报,2007,28(7):21-24.
4王洁冰,何延春,许旻,邱家稳,吴春华,赵印中.电致变色热控器件透明导电层的制备与研究[J].真空科学与技术学报,2008,28(S1):83-87. 被引量：5
5郭杏元,许生,曾鹏举,范垂祯.CIGS薄膜太阳能电池吸收层制备工艺综述[J].真空与低温,2008,14(3):125-133. 被引量：21
6杨发强,屈飞,古宏伟,李弢,王磊.Cu(In,Ga)Se_2太阳能电池窗口层ZnO∶Al薄膜的研究[J].稀有金属,2010,34(3):383-388. 被引量：6
7刘持,彭新村.氩氧比和工作压强对溅射AZO薄膜光电学性能的影响[J].湖南农机,2014(1):77-78.
8孙旭,黄英,王雷,丁晓,王艳丽.基于银纳米线的柔性透明导电薄膜的研究[J].材料开发与应用,2013,28(6):95-102. 被引量：5
9王敏,蒙继龙.ITO薄膜的电学性能研究[J].广东技术师范学院学报,2004,25(4):72-74. 被引量：5
10葛春桥,薛亦渝,夏志林.AZO透明导电薄膜的制备技术、光电特性及应用[J].真空电子技术,2004,17(6):51-54. 被引量：12

1李迅.AVS+编码芯片及其产业化进展[J].广播电视信息,2015,22(8):29-30.
2谢丹.日本超尖端电子技术开发促进计划[J].全球科技经济瞭望,1999,14(3):58-59.
3王华.透明导电氧化物薄膜及其制备方法[J].材料工程,2005,33(9):59-63. 被引量：7
4贾正根.平面显示器件发展前景[J].真空电子技术,1990,3(5):21-24.
5朱子文,唐鹏千.真空微电子学和冷阴极平面显示器件[J].电子技术（上海）,1991,18(10):22-25.
6张素贞,潘磊.中国数字音视频编解码标准(AVS)的研究及产业化进展[J].内江科技,2007,28(4):113-114. 被引量：1
7邢帆.北斗带动下的导航业新驱动[J].中国信息化,2015,0(4):62-64.
8赵文玉,张海懿,汤瑞,吴庆伟,汤晓华.100G产业化及超100G发展分析[J].电信网技术,2011(12):1-4. 被引量：3
9孙国胜,董林,俞军,闫果果,李锡光,王占国.新一代宽禁带4H-SiC功率半导体外延材料的产业化进展[J].军民两用技术与产品,2013(6):36-38. 被引量：1
10FPD CHINA 2007在沪召开[J].半导体技术,2007,32(4):365-365.

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