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不同折射率对N型单晶硅太阳电池电性能的影响 被引量:3

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摘要 用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法,通过改变[SiH4]/[NH3:H2]的流量比沉积氮化硅薄膜。用椭偏仪测量氮化硅薄膜的厚度、折射率。研究了N型单晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的电性能。
出处 《科技风》 2011年第17期83-83,共1页
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同被引文献23

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引证文献3

二级引证文献4

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