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用激光探针法研究功率半导体器件表面性质

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摘要 一、前言为了防止高压硅功率半导体器件反向偏压时PN结击穿,PN结表面造型技术是一种行之有效的手段。通过表面造型使裸露在表面上的空间电荷区展宽,从而降低表面最大电场强度,特别是PNP或PNPN结构中,总是要有一个与结平而有一定角度的环型斜面来保护其免于低压击穿。实验研究表明,
作者 田敬民
机构地区 陕西机械学院
出处 《物理实验》 1990年第5期223-227,共5页 Physics Experimentation
关键词 激光探针法 半导体器件 表面性质
分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献
物理实验
1990年 第5期

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