摘要
主要介绍了研究所近２０ 年来在新型薄膜半导体材料的制备、结构及特性研究方面所取得的成就，尤其是对非晶硅碳和非晶硅锗（ ａ Ｓｉ Ｃ∶ Ｈ 和ａ Ｓｉ Ｇｅ∶ Ｈ）薄膜、金刚石和类金刚石薄膜、立方氮化硼（ ｃ Ｂ Ｎ）薄膜、β Ｃ３ Ｎ４ 薄膜和富勒烯薄膜的研究工作取得了重要成果，不少工作已达到国际先进水平，发表论文３００
The latest achievements of research on the preparations, microstructures and properties of novel semiconductor thin films in our institute are described, including a SiC∶H , a SiGe∶H, a C∶H, diamond, c BN, β C 3N 4 and Fullerene thin films.
出处
《兰州大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期22-26,共5页
Journal of Lanzhou University(Natural Sciences)
基金
国家自然科学基金
关键词
半导体薄膜
立方氮化硼薄膜
非晶硅
制备
结构
amorphous semiconductor films
diamond films
cubic boron nitride films
β C 3N 4 films
Fullerene films
