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金属蒸气真空孤离子源及其束流密度分布 被引量:3

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摘要 我们研制了一种金属蒸气真空孤(MEVVA)离子源。这是一种新型的强流金属离子源,特别适用于离子注入材料表面改性中。测量了该源的引出束流密度分布,并估算了束散角和发射度。
出处 《微细加工技术》 1990年第4期6-9,共4页 Microfabrication Technology
  • 相关文献

参考文献1

  • 1万春侯等编著,张华顺.离子源和大功率中性束源[M]原子能出版社,1987.

同被引文献6

  • 1吴先映,周凤生,张荟星.MEVVA离子源等离子体密度测量[J].北京师范大学学报(自然科学版),1994,30(3):339-343. 被引量:2
  • 2Francis F Chen 林光海译.等离子体物理学导论[M].北京:人民教育出版社,1980.158.
  • 3Ryabchikov A I.Proceedings of the Beijing workshop on MEVVA ion source and applications[M].北京:北京师范大学出版社,1993.59-71.
  • 4吴先映,北京师范大学学报,1994年,30卷,3期,339页
  • 5张华顺,离子源和大功率中性束源,1987年
  • 6Roy P K, Seidl P A, Anders A. A space-charge- neutralizing plasma for beam drift compression [J]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, 2009,606:22.

引证文献3

二级引证文献4

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