摘要
我们用集总模型方法确定了复杂集成电路中的三维效应,电路的闭锁行为往往是受三维效应支配的。我们采用了一种预处理程序,该程序能根据对电路局部结构布局和物理的基本描述,自动地生成与SPICE程序相容的、元件数多达数千个的文件。模型的结果表明,对于非对称布局的器件来说,衬底和隔离阱中的内部电位降比由金属化层电阻引起的电位降要大得多。模型分析还表明,改变背面接触(例如部分地除去电路中间部分的背面接触,以进行激光背面模拟)可使衬底中的横向电压降提高一个数量级以上,从而显著地改变闭锁特性。我们的模型可用来计算对闭锁现象和闭锁窗口效应都具有重要影响的分布电位;在采用激光模拟的情况下,还可用术确定金属遮挡或非均匀载流子产生所造成的影响。
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1990年第1期38-44,37,共8页
Microelectronics
