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CMOS模拟开关中的闭锁现象及消除方法

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摘要本文描述了CMOS集成电路中的闭锁现象的机理,分析了寄生PnPn可控硅的触发条件.提出了防止CMOS模拟开关电路闭锁的措施,以及本电路的版图设计和工艺设计的原则,从而实现消除闭锁现象的目的.最后介绍了研制中的CMOS模拟开关的抗闭锁性能和电路性能.

作者崔福现白淑华

机构地区机电部十三所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期28-32,共5页 Semiconductor Technology

关键词 CMOS 模拟开关闭锁现象消除

分类号 TN432.05 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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半导体技术

1989年第4期

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