用^(60)Co γ射线辐照集成电路试验初步探讨被引量：1

IRRADIATION OF INTEGRATED CIRCUITSWITH '^(60)Co γ RAY IRRADIATION

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摘要一、试验材料和方法1.样品小规模集成电路。2.型号①TO66,②TO93,③TO97。3.数量每个型号为10个编号,每个编号为1个集成片。

作者符俊吾赴达夫童舜涛陈跃军田蕴珍

机构地区湖南省原子能农业应用研究所国营韶光电工厂

出处《同位素》 CAS 北大核心 1990年第2期135-136,共2页 Journal of Isotopes

关键词集成电路辐照钴60 射线 irradiation, integrated circuits,^(60)Co

同被引文献1

1陈世彬,陈雨生,黄流兴,张义门.^(60)Co和高能电子在硅中NIEL的Monte Carlo计算[J].光子学报,2000,29(5):415-419. 被引量：2
2王锦荣,高仲林.γ辐照对晶体管电学参数的影响[J].核农学通报,1996,17(2):75-76. 被引量：1
3马宏斌.方便的电路试验板[套件供应][J].电子制作,2003,11(2):60-60.
4吴志芳,周立业,刘锡明,王立强.^(60)Co 集装箱检测系统中图像的采集、传输与分配[J].核电子学与探测技术,1999,19(1):25-29. 被引量：4
5杨丽侠,杜磊,包军林,赵志刚,张莹.用于DC／DC转换器的肖特基二极管^60Co γ辐照实验研究[J].混合微电子技术,2007,18(4):9-14. 被引量：2
6陆妩,余学锋,任迪远,艾尔肯,郭旗.双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性[J].核技术,2005,28(12):925-928. 被引量：20
7赵志刚,杜磊,包军林,阎家铭,张莹,杨丽侠.用于DC／DC转换器的VDMOS器件抗辐照性能与低频噪声研究[J].混合微电子技术,2007,18(4):1-4. 被引量：2
8高文钰,严荣良,范隆.^(60)Co辐照引起MOS电容可动离子的变化[J].核技术,1991,14(1):17-22.
9周长安,王忠杰.CMOS集成电路试验中静电防护的初步实践[J].电子产品可靠性与环境试验,1989(3):55-58.
10商怀超,刘红侠,卓青青.低剂量率^(60)Co γ射线辐照下SOI MOS器件的退化机理[J].物理学报,2012,61(24):403-409. 被引量：2

同位素

1990年第2期

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