摘要
为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池。从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性。通过调整μc-Si:H底电池厚度考察三结电池的性能变化,结果发现,受中间电池的限制,该系列电池性能无显著变化。μc-Si:H电池量子效率(QE)测试结果表明,ZnO背反射层(BR)主要辅助800 nm以上波长光吸收。初步制备的a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池的转换效率(Eff)约为6.5%(Isc=4.75 mA/cm2,Voc=2V,FF=0.71)。
The potential of PIN triple-junction Si-based thin film solar cells incorporatiing microcrystalline silicon as sub-cell（a-Si/a-SiGe/μc-Si） with a high conversion efficiency was estimated in terms of transparent conductivity oxide（TCO） substrate glass.Only varying μc-Si bottom-cell thickness,it is found that the performance of the triple-junction cells is not affected due to the mid-cell current limit.The quantum efficiency（QE） results of the sub-cells reveal that the ZnO back reflection（BR） layer assists the optical absorption only above 800 nm wavelength.
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期495-498,共4页
Journal of Optoelectronics·Laser
基金
国家高技术研究发展规划资助项目(2007AA05Z436
2009AA050602)
国家重点基础研究发展规划资助项目(2006CB202602
2006CB202603)
国家自然科学基金项目(60976051)
科技部国际合作重点资助项目(2006DFA62390
2009DFA62580)
教育部新世纪人才资助项目(NCET-08-0295)
天津科技支撑资助项目(08ZCKFGX03500)
